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CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片

CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm,目前可做到320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCC及Kovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。同时,我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
产品时间:2016-08-19
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CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm,目前可做到320x256640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCCKovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。同时,我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。

Features(特点)

Large Sensing Area大感光面

High Responsitivity高响应率

High Sensitivity高灵敏度

High Shunt Resistance高阻抗

Low Dark Current低暗电流

High Dynamic Range高动态范围

Optical Powering视觉影像

 

 

 

Applications(应用)

Power Measurement功率测量

IR Sensing红外线测量

Spectrography光谱分析

Medical and Chemical Devices

医学和生化检测

Temperature Sensors温度测量

Light Detection and Ranging (LIDAR)

 

 

1.1FPA-320x256InGaAs Imager0.9um-1.7um

CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCDCMOS数码相机制造商的机械设计。

Features(特点)

320*256 阵列格式

30um 象元间距

CLCC 封装

低暗电流

高量子效率

高可操作性

 

 

 

Applications(应用)

近红外成像

超光谱

秘密监察

半导体检测

天文学和科学

工业热成像

 

 

zui大绝对额定值

参数

单位

zui小值

zui大值

工作温度范围

-20

85

储存温度范围

-40

85

功耗

mW

---

175

FPA特性

参数

典型值

条件

光谱响应

0.9um-1.7um

---

zui小像素的可操作性

>99%

318*254内的中心地区

暗电流

<0.4PA

25,0.1V 探测器偏压

量子效率

>70%

λ=1.0um-1.6um

探测率

≥5*1011Jones

25, λ=1.55um,T=16ms,高增益

响应非均匀性

<10%

饱和度低于50%,25

非线性(zui大偏差)

<2%

超过10%-90%满阱容量

zui大像素率

10MHz

---

增益

High:14.38uV/e-

Low:0.77 uV/e-

25

 

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