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320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器

320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器,此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。
产品时间:2022-11-02
访问量:2387

LD-FPA-320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器

320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器

InGaAs短波焦平面探测器产品应用在近红外成像和光谱技术成像上包括非制冷型(无TEC)和制冷型(TEC)型。产品应用稳定成熟的工艺,并已实现量产。该产品选用常规封装,便于CCD与CMOS相机集成商的机械设备;集成嵌入式TEC进一步提高了探测器的灵敏度,并通过密闭金属封装来实现其高可靠性。

产品型号

InGaAs面阵探测器的响应波段为900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCCKovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。


型号

FPA-320×256-C

FPA-320×256-K-TE1/TE2

FPA-320×256-K-2.2-TE2

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

响应波段

0.9um-1.7um

0.9um-1.7um

1.2um-2.2um

图像分辨率

320×256

320×256

320×256

像元尺寸

30um

30um

30um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

封装

44-pin CLCC

28-pin MDIP

28-pin MDIP

重量

1.6g

24.6g/25.6g

24.6g

有效像元率

>99.5%

>99%

>97%

暗电流

<0.4pA

≤0.4pA

≤10pA

量子效率

70%

70%

70%

填充率

99%

99%

99%

串扰

1%

1%

/

探测率

≥5×1012J

≥5×1012J (TE1)

7.5×1012J(TE2)

1012J

响应非均匀性

10%

10%

≤40%

非线性(最大偏差)

≤2%

≤2%

≤2%

最大像素率

10MHz

10MHz

10MHz

增益

High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

满阱容量

High:170Ke- Low:3.5Me-

High:170Ke- Low:3.5Me-

High:170Ke- Low:3.5Me-

TEC 制冷

TE1/TE2

TE1/TE2

工作温度

-20℃—85℃

-20℃—85℃

-20℃—85℃

储存温度

-40℃—85℃

-40℃—85℃

-40℃—85℃

功耗

175mw

175mw**

175mw**





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