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CLPT320×256-K短波红外探测器

中华立鼎CLPT320×256-K短波红外探测器为制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。
产品时间:2020-05-22
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  中华立鼎CLPT320×256-K短波红外探测器为制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片,CLPT320×256-K短波红外探测器此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。

Features(特点)

640*512阵列格式

25um 象元间距

Kovar metal一级制冷

低暗电流

高量子效率

高操作性

 

Applications(应用)

近红外成像

超光谱

秘密监察

半导体检测

天文学和科学

工业热成像

 

 

FPA-640*512说明

参数

单位

min

max

工作温度范围

-20

+85

储存温度范围

-40

+85

功耗

mW

---

325

TEC 电流

A

---

1.8

TEC 电压

V

---

15.4

FPA Characteristics(FPA特性)

参数

典型值

条件

光谱响应

0.9-1.7um

---

小像素的可操作性

>99%

636*508内的中心地区

暗电流

<0.2PA

25℃,0.1V探测器偏压

量子效率

>70%

λ=1.0um-1.6um

探测率

≥5*1011 jones

25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益

响应非均匀性

<10%

饱和度低于50%,25℃

非线性(大偏差)

<2%

超过15%-85%全阱容量,低增益

大像素率

10MHz

---

增益

High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e-

25℃

TEC 制冷

ΔT>70℃

无需加载

随着技术的不断革新,现CLPT公司也提供:

1)CLPT中华立鼎制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片,响应波段在1.2-2.2um范围的320*256面阵探测器;

2)CLPT320&#215;256-K短波红外探测器体积更小,质量更轻的320x256和640x512面阵探测

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