产品展示PRODUCTS

您当前的位置:首页 > 产品展示 > 点元光电探测器 > 铟镓砷InGaAs(0.5um-2.6um) > LD-GAP1000美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um)

美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um)

GPD公司介绍
美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um),GPD成立于1973年,主要提供,锗P-N、P-I-N、APD以及铟镓砷高速P-I-N管、大面元光电探测器,并且能够根据客户的需求定制。
产品时间:2016-08-25
访问量:1124

美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um)

InGaAs探测器产品介绍

Paremeter

Active areamm

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP  W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP500

05

1.7um

0.95@1550nm

0.8x10-14

30 @5V(nA)

TO46

LD-GAP1000

1

1.7um

0.95@1550nm

1x 10-14

100 @5V(nA)

TO46

LD-GAP2000

2

1.7um

0.95@1550nm

3 x10-14

200 @1V(nA)

TO5

LD-GAP3000

3

1.7um

0.95@1550nm

5 x10-14

500 (@1V(nA)

TO5

LD-GAP5000

5

1.7um

0.95@1550nm

28 x10-14

10mA(@0.3V(nA)

TO5

LD-GAP300-1.9

0.3

1.9um

0.9/1.0

3 x10-14

0.1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-1.9

0.5

1.9um

0.9/1.0

9 x10-14

0.9@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-1.9

1

1.9um

0.9/1.0

0.13 x10-12

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-1.9

2

1.9um

0.9/1.0

0.26x10-12

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-1.9

3

1.9um

0.9/1.0

0.38 x10-12

22.5@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.05

0.3

2.05um

0.9/1.0

5.7 x10-14

0.5@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.05

0.5

2.05um

0.9/1.0

8.1 x10-14

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

23.4 x10-14

4@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.05

2

2.05um

0.9/1.0

42.8 x10-14

10@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.05

3

2.05um

0.95/1.1

90.7 x10-14

12@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.2

0.3

2.2um

0.9/1.0

0.14x10-12

1@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.2

0.5

2.2um

0.9/1.0

0.22x10-12

5@1V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

0.46x10-12

10@1V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.2

2

2.2um

0.9/1.0

1.28 x10-12

40@1V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.2

3

2.2um

0.9/1.0

2.87x10-12

100@1V(uA)

TO5

LD-GAP300-2.6

0.3

2.6um

0.9/1.0

0.81x10-12

13@1V(uA)

TO46

LD-GAP500-2.6

0.5

2.6um

0.9/1.0

1.43x10-12

20@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP1000-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

2.03x10-12

80@0.5V(uA)

TO46

LD-GAP2000-2.6

2

2.6um

1.0

3.31x10-12

320@0.5V(uA)

TO5

LD-GAP3000-2.6

3

2.6um

1.0

5.74x10-12

500@0.5V(uA)

TO5

 

提供专业定制,封装形式多样,可根据客户要求选择封装形式,并客户可依据需求定制不同的封装的产品以及可定制TE制冷产品。

美国GPD铟镓砷InGaAs光电探测器(0.5um-2.6um)

Paremeter

Active areamm

Cut off wavelength

A/W min. (typ.)

NEP  W/ÖHz min.

Dark Current max.

Package

LD-GAP1000TE1

1

1.7um

0.95/1.0

5.4x10-15

3@5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1

2

1.1x10-14

20@2V(nA)

LD-GAP3000TE1

3

1.1x10-14

50@2V(nA)

LD-GAP5000TE1

5

2.4x10-14

100@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

5.4x10-14

500@1V(nA)

 

 

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.05

2

1.3x10-13

1100@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.05

3

3.2x10-13

1360@1V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.6x10-13

1250@1V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.2

2

1.1x10-12

5000@1V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.2

3

5.5x10-13

6250@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE1-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

6x10-13

8000@0.5V(nA)

TO5/TO37/TO8/TO66

LD-GAP2000TE1-2.6

2

9.8x10-13

32000@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE1-2.6

3

1.7x10-12

50000@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2

1

1.7um

0.95/1.0

3.7x10-15

2@5V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2

2

5.3x10-15

10@2V(nA)

LD-GAP3000TE2

3

7.5x10-15

20@2V(nA)

LD-GAP5000TE2

5

1.7x10-14

50@0.1V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.05

1

2.05um

0.9/1.0

3.7x10-14

200@1V(nA)

 

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.05

2

9.6x10-14

240@1V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.05

3

2x10-13

700@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.2

1

2.2um

0.9/1.0

1.2x10-13

700@1V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.2

2

2.9x10-13

2900@1V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.2

3

4.1x10-13

3600@0.5V(nA)

LD-GAP1000TE2-2.6

1

2.6um

0.9/1.0

4x10-13

3600@0.5V(nA)

TO8/TO66

LD-GAP2000TE2-2.6

2

6.5x10-13

14500@0.5V(nA)

LD-GAP3000TE2-2.6

3

1.1x10-12

22700@0.5V(nA)

 

留言框

  • 产品:

  • 留言内容:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 详细地址:

  • 省份:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7