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砷化铟InAs(1.0um-3.8um)
LD-IS-010美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um)
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光导碲镉汞HgCdTe PC(1um-26um)
光伏碲镉汞HgCdTe PV(0.5um-11um)
锑化铟InSb(1um-5.5um)
硫化铅PbS(1.0um-3.5um)
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碳化硅SiC(190nm-450nm)
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