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硅Si(300nm-1100nm)
LD-S/UVS系列美国EOS Si探测器(0.2-1.1um)
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点元光电探测器
光导碲镉汞HgCdTe PC(1um-26um)
光伏碲镉汞HgCdTe PV(0.5um-11um)
锑化铟InSb(1um-5.5um)
硫化铅PbS(1.0um-3.5um)
砷化铟InAs(1.0um-3.8um)
铟镓砷InGaAs(0.5um-2.6um)
锗Ge(0.5um-1.8um)
硅Si(300nm-1100nm)
碳化硅SiC(190nm-450nm)
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