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美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um)

美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um):
简介:在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备。
产品时间:2016-08-25
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美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um):

简介:在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。这些器件可应用在工业的控制系统、气体分析、热传感器以及光纤测试设备。

 

美国EOS砷化铟InAs光电探测器(1.0um-3.8um)

室温条件下:

型号

InAs-010

InAs-020

Active  Diameter (mm)

1.0

2.0

Operating Temperature (℃)

22

22

Operating Wavelength(μm)

1.0-3.4

1.0-3.4

Shunt Resistance (Ω)typ

≥15

≥10

Shunt Capacitance (pF),typ

400

1200.nom

NEP @1.3μm  (W/Hz1/2)

33x10-12

5.5x10-11

Responsivity(A/W)

1.0 @3.2μm

0.8 typ

二级制冷条件下:

型号

InAs-010-TE2_TO8

InAs-020-TE2_TO8

Operating Temperature (℃)

-30

-30

Responsivity(A/W)

1.4 min@3.2μm

1.5

Shunt Resistance (Ω)

500

100

Shunt Capacitance (pF)

450

1200

Thermistor Resistance (KΩ)

40.0typ

40.0typ

Cooler Current(A)

0.65TYP

0.65TYP

Max Cooler Current (A)

1.25

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