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vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um),波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司,该公司生产的红外探测器,分制冷型(低温工作)和非制冷型(室温工作)两大类,其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000国际标准质量体系,被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。
产品时间:2016-08-25
访问量:306

vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

TE制冷光电探测器

1、PV-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷)

特点:高性能的在2-12μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

描述:PV-2TE-n n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。这些器件在211µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

详细规格:

特性(@ 20ºC

单位

PV-2TE-3

PV-2TE-4

PV-2TE-5

PV-2TE-6

PV-2TE-8

PV-2TE-10.6

zui佳特性波长λop

μm

3

4

5

6

8

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥8?1010 ≥5?1010

 

≥1.5?1010

≥1?1010

 

≥8?109

≥5?109

 

≥4?109  ≥2?109

 

≥8?108  ≥4?108

 

≥3?108

≥1?108

响应度

A/W

≥1.2

≥1.3

≥1.3

≥1.2

≥1

≥0.7

响应时间τ

ns

≤15**

≤20**

≤20**

≤10**

≤7**

≤3**

并联电阻-光学面积

Ω·cm 2

≥0.3

≥0.10

≥0.02

≥0.006

≥0.001

≥0.0001

光学面积×

或直径  (圆形)

mm x mm

mm

0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

工作温度

K

220-240

视场, F#

deg

60, 0.5

2、PVI-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷、光侵入式)

特点:高性能的在2-12μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

描述:PVI-2TE-n n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些器件在211µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

详细规格:

特性(@ 20ºC

单位

PVI-2TE-3

PVI-2TE-4

PVI-2TE-5

PVI-2TE-6

PVI-2TE-8

PVI-2TE-10.6

zui佳特性波长λop

μm

3

4

5

6

8

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

2?1011

1.5?1010

 

6?1010

4?1010

 

3?1010

2?1010

 

2?1010

1?1010

 

5?109

2?109

 

3?109

1?109

响应度

A/W

≥1.2

≥1.3

≥1.3

≥1.2

≥1

≥0.7

响应时间τ

ns

≤15**

≤20**

≤20**

≤10**

≤7**

≤3**

并联电阻-光学面积

Ω·cm 2

≥30

≥10

≥2

≥0.6

≥0.1

≥0.01

光学面积×

或直径  (圆形)

mm x mm

mm

0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

工作温度

K

220-240

视场, F#

deg

35,1.65

3、PVM-2TE(2-12μm红外光电探测器、倍增结构、热电制冷)

特点:高性能的在2-12μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

描述:PV-2TE-n n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PVM-2TE-8

PVM-2TE-10.6-2      

zui佳特性波长λop

µm

8

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥6?108

≥3?108

≥2?108

≥1?108

响应度 – at λop*

V x mm /W

≥2

≥0.5

响应时间τ

ns

≤7

≤3

电阻

Ω

40-300

30-200

光学面积×

mm x mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

工作温度*

K

220-240

视场, F#*

deg

60, 0.5

4、PVMI-2TE(2-12μm红外光电探测器、倍增结构、热电制冷、光侵入式)

特点:高性能的长波长范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

描述:PVMI-2TE-n n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PVMI-2TE-10.6

zui佳特性波长λop

µm

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥2?109

≥1?109

响应度 – at λop

V·mm /W

≥7

响应时间τ

ns

≤3

电阻*

Ω

30-200

光学面积 (长×

mm x mm

0.1×0.1;0.25×0.25;0.5×0.5;1×1;2×2;

工作温度*

K

220-240

视场, F#*

deg

35,1.65

5、PC-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷)

特点:高性能在2-14μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计

描述:PC-2TE-n n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些设备在2~14µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PC-2TE-4  

PC-2TE-5  

PC-2TE-6  

PC-2TE-9  

PC-2TE-10.6  

PC-2TE-12 

zui佳特性波长λop

µm

4

5

6

9

10.6

12

探测率:

at ?λpeak, 20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

>4E10 >2E10

>2E10  >1E10

>6E9

>3E9

>2E9 >8E8**

>5E8

>2.5E8**

>4E8

>1.5E8**

响应度-atλop1x1 mm

V/W

>1000

>500

>70

>5

>3

>1

响应时间τ

ns

<4000

<2000

<1000

<20

<10

<2

1/f噪声拐点频率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

1-20

有效面积, ( × )

mm × mm

0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

偏置电流-宽度比*

mA/mm

1-2

2-4

4-8

4-10

5-15

5-15

薄层电阻系数

Ω/sqr

600-1500

300-500

200-400

80-200

50-150

50-150

视场, F#

deg

60, 0.5

6、PCI-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷、光侵入式)

特点:高性能在2-14μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;使用方便;与快速元器件*兼容;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计

描述:PCI-2TE-n n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些设备在2~14µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PCI-2TE-4  

PCI-2TE-5  

PCI-2TE-6  

PCI-2TE-9  

PCI-2TE-10.6  

PCI-2TE-12 

zui佳特性波长λop

µm

4

5

6

9

10.6

12

探测率:

at λ? peak, 20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

>1E11 >5E10

>6E10

>3E10

>2E10 >1E10

>9E9

>4E9

>5E9

>2.5E9

>4E9

>1.5E9

响应度- atλop1x1 mm

Vmm/W

>6000

>3000

>600

>40

>25

>15

响应时间τ

ns

<4000

<2000

<1000

<20

<10

<2

1/f噪声拐点频率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

1-20

有效面积, (×)

mm×mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

偏置电流-宽度比*

mA/mm

0.050.3

0.10.5

0.30.8

25

520

520

薄层电阻系数

Ω/sqr

600-1500

300-500

200-400

50-200

50-150

50-150

视场, F#

deg

35, 1.65

         

 

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