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vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司,该公司生产的红外探测器,分制冷型(低温工作)和非制冷型(室温工作)两大类,其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000国际标准质量体系,被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。
产品时间:2016-08-25
访问量:331

vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

非制冷光电探测器

1、PV系列(2-12μm红外光电探测器)

 

  特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

  描述:PV-n(n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是红外光电探测器,这些装置在2~11µm范围内的任意值可以达到zui优的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PV-3         

PV-4         

PV-5

PV-6

PV-8

zui佳特性波长λop

μm

3

4

5

6

8

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

 

≥8?109

≥5?109

 

≥1.5?109

≥1?109

 

≥8?108

≥5?108

 

≥4?108

≥2?108

 

≥8?107

≥4?107

响应度

A/W

≥1.2

≥1.2

≥1.2

≥1

≥0.5

响应时间τ

ns

≤15 **

≤15**

≤15**

≤12**

≤7**

并联电阻-光学面积

Ω·cm 2

≥0.05

≥0.01

≥0.003

≥0.001

≥0.0002

光学面积 ×

或直径  (园形)

mm x mm

mm

0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3

工作温度

K

300

视场, F#

deg

60, 0.5

2、PVI系列(2-12μm红外光电探测器、光侵入式)

特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

  描述:PVI-n(n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列探测器是红外光电探测器,使用用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。这些装置在2~11µm范围内的任意值可以达到zui优的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PVI-3

PVI-4

PVI-5

PVI-6

PVI-8

zui佳特性波长λop

μm

3

4

5

6

8

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

≥2E10

≥1.5E10

 

≥6E9

≥4E9

 

≥3E9

≥2E9

 

≥2E9

≥1E9

 

≥3E9

≥1.5E8

响应度

A/W

≥1.2

≥1.3

≥1.3

≥1.2

≥1

响应时间τ

ns

≤15**

≤15**

≤15**

≤12**

≤7**

并联电阻-光学面积

Ω·cm 2

≥5

≥1

≥0.3

≥0.1

≥0.02

光学面积×

或直径  (圆形)

mm x mm

 mm

0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3

工作温度

K

300

视场, F#

deg

35, 1.65

3、PVM系列(2-12μm红外光电探测器、倍增结构

 

特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

  描述:PVM-n(n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器,这些装置专门用于大范围内的探测,工作在8~12µm的范围。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PVM-8

PVM-10.6

zui佳特性波长λop

μm

8

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

1.2E8

6E7

 

3E7

1E7

响应度(at λop*

V·mm/W

0.6

0.1

响应时间τ

ns

7

1

电阻

Ω

15-300

10-150

光学面积(矩形长×)

mm x mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

工作温度

K

300

视场, F#

Deg

60, 0.5

4、PVMI系列(2-12μm红外光电探测器、倍增结构、光侵入式)

 

特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;大面积装置;低成本;可根据客户要求设计。

   描述:PVMI-n(n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器,使用用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。这些装置工作在8~12微米的范围内特别用于大范围探测。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

   详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PVMI-8

PVMI-10.6

zui佳特性波长λop

μm

8

10.6

探测率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

 

6?108

3?108

 

2?108

1?108

响应度–at λop

V×mm/W

3

0.5

响应时间τ

ns

7

1

电阻

Ω

15-300

10-150

光学面积 (长 × 宽)

mm× mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

工作温度

K

300

视场, F#

deg

35, 1.65

5、PC系列(2-12μm红外光电导探测器)

特点:室温下工作;D*(10.6 µm)达到6*107 cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;与快速逻辑元器件*兼容;使用方便;低成本;及时交货;可根据客户要求设计。

描述:PC-n(n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列是高速、室温工作的红外光电导探测器这些装置在2~12微米范围内的任意值可以达到zui优的性能。。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe(优化掺杂面和改进的表面处理)来获得。用小型轻巧耐用的包装封装的。每个探测器都提供性能参数。探测器适用于外差探测,高频辐射探测要求响应时间短并与快速元器件兼容,以及能够与快速电子学匹配的高频辐射。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。

详细规格:

特性@ 20ºC

单位

PC-4

PC-5

PC-6

PC-9

PC-10.6

zui佳特性波λop

µm

4

5

6

9

10.6

探测率:

at ?λpeak,20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

>4E9

>2E9

>2E9

>1E9

>6E8

>3E8

>6E9

>2E7

 

>1E7

>4E6

响应度-@λop

Vmm/W

>100

>40

>6

>0.4

>0.05

响应时间τ

ns

<1000

<500

<200

<2

<1

1/f噪声拐点频率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

有效面积(×)

mm × mm

0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4

偏置电流-宽度比*

mA/mm

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

薄层电阻系数

Ω/sqr

300-1000

200-400

100-300

50-150

40-120

视场, F#*

deg

60, 0.5

6、PCI系列(2-12μm红外光电导探测器、光入浸式)

 

特点:室温下工作;D*(10.6 µm)达到3*108cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;动态范围宽;与快速逻辑元器件*兼容;使用方便;低成本;及时交货;可根据客户要求设计。

描述:PCI-n(n表示zui佳特性波长,单位是微米)系列的电探测器是非冷却红外光电探测器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。这些装置在2~12µm范围内的任意值可以达到zui优的性能。他们的高性能和稳定性通过开发的变隙(HgCdZnTe)半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。

详细规格:

特性(@ 20ºC)

单位

PCI-4

PCI-5

PCI-6

PCI-9

PCI-10.6

zui佳特性波长λop

µm

4

5

6

9

10.6

探测率:

at λ? peak, 20kHz

at λop, 20kHz

cmHz1/2/W

 

>1E10 >6E9

 

>7E9

>4E9

 

>2E9

>1E9

 

>3E8

>1E8

 

>2E8

>5E7

响应度-@λop

Vmm/W

>600

>300

>60

>3

>2

响应时间τ

ns

<1000

<500

<200

<2

<1

1/f噪声拐点频率

kHz

1-10

1-10

1-10

1-10

1-20

有效面积(长×宽)

mm×mm

0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

偏置电流-宽度比

mA /mm

1-2

2-4

3-10

3-15

5-20

薄层电阻系数

Ω/sqr

300-1000

200-400

100-300

50-150

40-120

视场, F#

deg

35,1.65

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